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第11讲 反射折射、导体中传播和趋肤效应

本讲只处理平面波遇到无限平面界面,以及波进入有耗导体后的衰减。

完成后应当能做到

  • 相位匹配
  • N 波和 P 波
  • Brewster 角和全反射
  • 有耗导体
  • 理想导体反射

第11讲 反射折射、导体中传播和趋肤效应

本讲只解决什么问题

本讲只处理平面波遇到无限平面界面,以及波进入有耗导体后的衰减。

相位匹配

界面上任意点任意时刻相位必须匹配:

(ki)t=(kr)t=(kt)t(\mathbf k_i)_t=(\mathbf k_r)_t=(\mathbf k_t)_t

因此

θi=θr\theta_i=\theta_r n1sinθi=n2sinθtn_1\sin\theta_i=n_2\sin\theta_t

这就是反射定律和 Snell 定律。

N 波和 P 波

N 波电场垂直入射面,P 波电场平行入射面。Fresnel 系数由切向 E\mathbf E 和切向 H\mathbf H 连续得到。

垂直入射时电场反射系数:

r=η2η1η2+η1r=\frac{\eta_2-\eta_1}{\eta_2+\eta_1}

电场透射系数:

t=2η2η2+η1t=\frac{2\eta_2}{\eta_2+\eta_1}

Brewster 角和全反射

非磁性介质中 P 波 Brewster 角:

tanθB=n2n1\tan\theta_B=\frac{n_2}{n_1}

从高折射率介质射向低折射率介质时,全反射临界角为

sinθc=n2n1\sin\theta_c=\frac{n_2}{n_1}

全反射时透射侧存在倏逝波,不传输法向平均功率。

有耗导体

导体中

J=σE\mathbf J=\sigma\mathbf E

复介电常数可写为

ε~=ε+iσω\tilde\varepsilon=\varepsilon+\frac{i\sigma}{\omega}

波数为复数:

k~=β+iα\tilde k=\beta+i\alpha

场随深度衰减:

EeαzE\sim e^{-\alpha z}

良导体中

αβωμσ2\alpha\approx\beta\approx \sqrt{\frac{\omega\mu\sigma}{2}}

趋肤深度:

δ=1α2ωμσ\delta=\frac1\alpha \approx \sqrt{\frac{2}{\omega\mu\sigma}}

理想导体反射

理想导体内部无交变场,表面切向电场为零。垂直入射时电场反射系数为 1-1,磁场反射系数为 +1+1

自测题

  1. 用相位匹配推出 Snell 定律。
  2. 全反射为什么仍有倏逝波?
  3. 良导体趋肤深度随频率怎样变化?
来源:主讲义第 1083-1191